Intel promete chips 9% mais rápidos com litografia 18A-P que já está em produção

Intel Anuncia Chips 9% Mais Rápidos com Litografia 18A-P

A Intel está trabalhando na versão mais potente de sua litografia 18A, chamada 18A-P, que promete oferecer 9% mais desempenho em relação ao silício padrão sob o mesmo consumo de energia. Essa nova tecnologia está em produção de risco, uma etapa que antecede a produção em massa e serve para testar as linhas de produção com wafers completos.

Os chips 18A-P também terão consumo ainda mais baixo, com a possibilidade de reduzir o consumo de energia em até 18% mantendo o mesmo desempenho. Além disso, a nova litografia foi projetada para ser retrocompatível, o que significa que os designers podem migrar projetos do 18A padrão sem a necessidade de refazer o design do chip do zero.

Melhorias Técnicas

As melhorias oferecidas pela litografia 18A-P são impulsionadas por três novos designs de transistores na biblioteca da Intel, com destaque para o modelo W3P, que introduz o recurso “Power Boost”. Ele combina contatos na parte frontal e traseira do silício, reduzindo a resistência parasitária. Além disso, o fornecimento de energia pela traseira do chip (PowerVia) recebeu aprimoramentos que reduziram a resistência térmica entre 20% e 40%, melhorando substancialmente a dissipação de calor.

A Intel também adicionou uma nova opção de tensão, chamada ULVTLL (Ultra-Low Voltage Threshold Low Leakage), posicionada estrategicamente para oferecer alto desempenho com menor escape de energia. Essas melhorias técnicas devem oferecer uma grande vantagem para os usuários de notebooks e outros dispositivos que utilizam processadores Intel.

Próximos Passos

A produção em massa dos chips 18A-P deve demorar entre um e dois anos. Atualmente, o 18A tradicional está em produção em duas fábricas nos EUA para abastecer as linhas Panther Lake e Xeon 6+. Além disso, a nova geração de processadores Nova Lake, que estão prometidos para o fim de 2026, também utilizará a litografia da Intel.

9% mais desempenho em relação ao silício padrão
Consumo de energia reduzido em até 18%
Retrocompatibilidade com projetos do 18A padrão
Melhorias técnicas, incluindo o recurso “Power Boost” e aprimoramentos no fornecimento de energia

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