Samsung Apresenta Avanços na Litografia de 2 nm
A Samsung recentemente divulgou dados oficiais sobre o desempenho de sua litografia de 2 nm, marcando uma ofensiva direta contra a líder de mercado, a TSMC. De acordo com o relatório trimestral, a tecnologia, que utiliza a tecnologia GAA (Gate-All-Around), oferece 8% mais eficiência energética e 5% mais desempenho em relação à geração anterior.
A nova tecnologia de fabricação de chips também proporciona uma redução de área de 5%. Isso significa que, apesar de ser menor, um semicondutor feito com essa litografia consegue entregar mais desempenho e ser mais eficiente, graças ao refinamento do processo de fabricação de nova geração.
Desafios e Oportunidades
No entanto, a Samsung ainda enfrenta um desafio significativo no mercado, com a TSMC dominando com 70,2% de participação global. A Samsung, por outro lado, detém apenas 7,3% do mercado e luta para estabilizar sua produção, tendo alcançado recentemente rendimentos entre 50% e 60%.
Para reverter esse quadro, a Samsung aposta em duas frentes: a experiência prévia com a arquitetura GAA e preços mais competitivos. A estratégia já obteve êxito com a Tesla, que confiou à Samsung a produção total de seu chip AI6.
Próximos Passos
O teste definitivo para a tecnologia da Samsung acontecerá no próximo ano com o lançamento do Galaxy S26, que será equipado com o processador proprietário Exynos 2600, fabricado inteiramente no processo de 2nm da Samsung. O sucesso desse chip será crucial para provar ao mercado a confiabilidade e a competência da fundição sul-coreana frente à taiwanesa.
Alguns dos principais pontos da nova tecnologia da Samsung incluem:
- 8% mais eficiência energética em relação à geração anterior
- 5% mais desempenho em relação à geração anterior
- Redução de área de 5%
- Utilização da tecnologia GAA (Gate-All-Around)
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