Intel Apresenta Protótipo da Memória ZAM

A Intel revelou um protótipo da memória ZAM (Z-Angle Memory) durante o evento Intel Connection no Japão. Essa tecnologia é uma alternativa às memórias HBM tradicionais e promete resolver gargalos de densidade e consumo de energia que limitam o avanço desse segmento.

A memória ZAM foi desenvolvida em parceria com a Saimemory, um braço da japonesa Softbank, e tem como objetivo resolver problemas atuais de memórias usadas em data centers, como eficiência e refrigeração. Com um design inovador que conta com trilhas que percorrem o chip na diagonal, a memória ZAM promete entregar até 512 GB por chip e reduzir o consumo de energia em até 50%.

Características e Aplicações

Essas características tornam a memória ZAM ideal para lidar com cargas de trabalho intensas exigidas por modelos de inteligência artificial, processamento de pacotes em redes de alta velocidade e sistemas de busca em larga escala dentro de data centers para armazenamento em nuvem.

• Alta densidade: até 512 GB por chip
• Baixo consumo: redução de até 50% em comparação com memórias tradicionais
• Design inovador: trilhas que percorrem o chip na diagonal

A entrada da Intel nesse segmento de memórias especiais é vital no cenário atual, onde o gargalo da memória se tornou o principal inimigo do avanço da computação de alto desempenho. A ZAM surge como a peça que faltava para permitir chips mais densos, rápidos e inteligentes.

Futuro e Impacto

Ainda não existe uma estimativa sobre quando a indústria começará a fazer uso dessa novidade. No entanto, a Intel busca retomar a liderança global no design de silício e na fundição, e dominar uma tecnologia de memória tão eficiente é um passo fundamental para alimentar a próxima geração de IA e infraestrutura de nuvem.

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